產(chǎn)品級碳化硅晶棒可在蘇州恒邁瑞材料科技定購。蘇州恒邁瑞公司是一家領先的碳化硅晶棒和碳化硅襯底生產(chǎn)商，為研究和生產(chǎn)提供高質量的碳化硅晶棒和晶片，我們提供標準和定制的產(chǎn)品和解決方案，以滿足客戶的特定要求。
N 型導電晶片厚度 350 μm，電阻率0.010～0.028 Ω·cm 2 ，主要應用于發(fā)光二極管、電力電子行業(yè)的功率器件；半絕緣晶片厚度500μm，電阻率 1×10 8 Ω·cm 2 ，主要用于微波射頻、氮化鎵晶體管等領域。
碳化硅材料以其優(yōu)異的性能被行業(yè)列為第三代半導體材料，其擊穿場強是硅的10倍，熱導率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環(huán)境下工作，具有極低的開關損耗和高頻工作能力，減小模塊的體積和重量，顯著提高系統(tǒng)的效率，有利于節(jié)能降耗，廣泛應用于風光發(fā)電、光伏逆變、UPS儲能、新能源汽車、航天等高科技領域。