氮化鎵,分子式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,屬于極穩(wěn)定的化合物,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。它的堅(jiān)硬性好,還是高熔點(diǎn)材料,熔點(diǎn)約為1700℃,GaN具有高的電離度,在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大氣壓力下,GaN晶體一般是六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。
蘇州恒邁瑞公司目前氮化鎵襯底片有2英寸和方形氮化鎵自支撐襯底,位錯(cuò)密度在105cm-3量級(jí),根據(jù)不同的技術(shù)參數(shù)分為三種,即n型摻雜、半絕緣與非摻雜。n型氮化鎵,主要運(yùn)用于LED、激光器方面;半絕緣則運(yùn)用于高功率微波器件或大電流高電壓的開關(guān)上。非摻雜即高純度氮化鎵,在探測(cè)器上的應(yīng)用較為廣泛,要求材料的電子濃度越低越好。恒邁瑞非摻雜氮化鎵產(chǎn)品,X射線(002)半峰寬為50秒、(102)半峰寬為80秒左右,塊體材料的電子遷移率超過1500cmV-1s-1。